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据《南华早报》报道，中国正在努力开发自己的类高带宽存储器(HBM-like)，用于人工智能和高性能计算应用 。据报道，长鑫存储科技(CXMT)处于这一举措的最前沿。

在性能方面，HBM是无可争议的领导者，因为每个 HBM 堆栈都具有 1024 位内存接口和良好的数据传输速率。由于宽界面和垂直堆叠，HBM 器件的生产不需要最先进的光刻技术。事实上，据信全球 DRAM 领导者在其 HBM2E 和 HBM3 存储设备中使用了经过时间验证的技术。

HBM 确实需要复杂的封装技术，因为使用微小硅通孔 (TSV) 垂直连接八个或十二个存储器件是一个复杂的过程。然而，组装类似 HBM 的已知良好堆叠芯片 (KGSD) 模块比使用 10 纳米级工艺技术生产 DRAM 器件更容易。